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PDF RJL5032DPP-M0 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza RJL5032DPP-M0
Descripción N-Channel Power MOSFET / Transistor
Fabricantes Renesas 
Logotipo Renesas Logotipo



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No Preview Available ! RJL5032DPP-M0 Hoja de datos, Descripción, Manual

RJL5032DPP-M0
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Low on-state resistance
RDS(on) = 2.2 Ω typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C)
High speed switching
Built in fast recovery diode
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AF-A
(Package name: TO-220FL)
1
23
G
Absolute Maximum Ratings
www.DataSheet.co.kr
Item
Symbol
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Avalanche current
Channel dissipation
VDSS
VGSS
ID
ID (pulse) Note1
IAPNote3
Pch Note 2
Channel to case thermal Impedance
θch-c
Channel temperature
Tch
Storage temperature
Tstg
Notes: 1. Pulse width limited by safe operating area.
2. Value at Tc = 25°C
3. STch = 25°C, Tch 150°C
Preliminary Datasheet
R07DS0251EJ0100
Rev.1.00
May 23, 2011
D
1. Gate
2. Drain
3. Source
S
Value
500
±30
3
12
3
30.6
4.08
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
W
°C/W
°C
°C
R07DS0251EJ0100 Rev.1.00
May 23, 2011
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RJL5032DPP-M0 pdf
RJL5032DPP-M0
Preliminary
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
TC = 25°C
1 D=1
0.5
0.3 0.2
0.1
0.05
0.1 0.02
1shot pulse
0.01
0.03
0.0001
0.001
θch – c(t) = γ s (t) • θ ch – c
θch – c = 4.08°C/W, Tc = 25°C
PDM
D=
PW
T
PW
T
0.01 0.1
1
Pulse Width PW (s)
10
100 1000
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
10 Ω
Vin
10 V
D.U.T.
Vout
Monitor
RL
VDD
= 250 V
Waveform
90%
Vin
Vout
www.DataSheet.co.kr
10%
10%
90%
td(on)
tr
90%
td(off)
10%
tf
R07DS0251EJ0100 Rev.1.00
May 23, 2011
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
RJL5032DPP-M0N-Channel Power MOSFET / TransistorRenesas
Renesas

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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