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PDF RBQ30NS45A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza RBQ30NS45A
Descripción Schottky Barrier Diode
Fabricantes ROHM Semiconductor 
Logotipo ROHM Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! RBQ30NS45A Hoja de datos, Descripción, Manual

Schottky Barrier Diode
RBQ30NS45A
lApplications
General rectification
lDimensionsUnit : mm
lFeatures
1)Cathode Common Dual type.(LPDS)
2)Low IR.
BQ30NS
45A
Data Sheet
lLand size figure (Unit : mm)
lConstruction
Silicon epitaxial planer
ROHM : LPDS
JEITA : TO263S
Manufacture Year, Week and Day
lTaping dimensions (Unit : mm)
lStructure
①② ③
www.DataSheet.co.kr
lAbsolute maximum ratings(Tc=25°C)
Parameter
Symbol
Reverse voltage (repetitive)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current (*1)
Forward current surge peak 60Hz1cyc) (*2)
Junction temperature
VRM
VR
Io
IFSM
Tj
Storage temperature
Tstg
(*1) 60Hz half sin wave, 1/2 Io per diode.
(*2) 60Hz half sin wave, one cycle, non-repetitive at Tj=25°C.
Limits
45
45
30
100
150
-40 to +150
lElectrical characteristicsTj=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol Min. Typ. Max.
VF - - 0.65
IR - - 0.45
Unit
V
V
A
A
°C
°C
Unit Conditions
V IF=15A
mA VR=45V
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2011.11 - Rev.A
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
RBQ30NS45ASchottky Barrier DiodeROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
RBQ30NS45BSchottky Barrier DiodeROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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