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PDF 2SB834 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SB834 | |
| Descripción | PNP Silicon Epitaxial Power Transistor | |
| Fabricantes | Weitron Technology | |
| Logotipo |  |
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PNP Silicon Epitaxial Power Transistor
P b Lead(Pb)-Free
Features:
* DC Current Gain hFE = 60-200 @IC = 0.5A
* Low VCE(sat) ≤ 1.0V(MAX) @IC = 3.0A, IB = 0.3A
* Complememtary to NPN 2SD880
COLLECTOR
2
BASE
1
3
EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25ºC)
Rating
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Collector to Base Voltage
Collector Current
Total Device Disspation
TA=25°C
TC=25°C
Derate above 25°C
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ
Tstg
2SB834
1
23
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER TO-220
Value
-60
-60
-7.0
-3.0
1.5
30
0.24
+150
-55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
W/˚C
˚C
˚C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Collector-Base Breakdown Voltage
IC=-100µA, IE=0
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC=-50mA, IB=0
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE=-100µA, IC=0
Collector Cut-Off Current
VCB=-60V, IE=0
Emitter-Cut-Off Current
VEB=-7V, IC=0
Symbol
BVCBO
Min
-60
BVCEO
-60
Max
-
-
Max
-
-
Unit
V
V
BVEBO
-7.0
-
-V
ICBO -
- -100 µA
IEBO -
- -100 µA
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/3
02-Feb-07
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SB831 | Silicon PNP Epitaxial |  Hitachi Semiconductor |
| 2SB831 | Silicon PNP Epitaxial |  Renesas |
| 2SB831 | Transistor |  Kexin |
| 2SB831 | Transistor |  TY Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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