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PDF IPP60R600E6 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza IPP60R600E6
Descripción MOSFET ( Transistor )
Fabricantes Infineon Technologies 
Logotipo Infineon Technologies Logotipo



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No Preview Available ! IPP60R600E6 Hoja de datos, Descripción, Manual

MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
CoolMOS™E6600V
600VCoolMOS™E6PowerTransistor
IPx60R600E6
DataSheet
Rev.2.2
Final
PowerManagement&Multimarket

1 page




IPP60R600E6 pdf
3 Thermal characteristics
600V CoolMOS" E6 Power Transistor
IPx60R600E6
Thermal characteristics
Table 3 Thermal characteristics TO-220 (IPP60R600E6)
Parameter
Symbol
Values
Min.
Typ.
Thermal resistance, junction - case RthJC
Thermal resistance, junction -
ambient
RthJA
-
-
-
-
Soldering temperature,
wavesoldering only allowed at
leads
Tsold
-
-
Max.
2.0
62
260
Unit Note /
Test Condition
°C/W
leaded
°C 1.6 mm (0.063 in.)
from case for 10 s
Table 4 Thermal characteristics TO-220FullPAK (IPA60R600E6)
Parameter
Symbol
Values
Min.
Typ.
Max.
Thermal resistance, junction - case RthJC
-
-
4.5
Thermal resistance, junction -
RthJA
-
-
80
ambient
Soldering temperature,
Tsold
-
-
260
wavesoldering only allowed at
leads
Unit Note /
Test Condition
°C/W
leaded
°C 1.6 mm (0.063 in.)
from case for 10 s
Table 5 Thermal characteristics TO-252 (IPD60R600E6)
Parameter
Symbol
Min.
Values
Typ.
Max.
Unit Note /
Test Condition
Thermal resistance, junction - case RthJC
-
-
2.0 °C/W
Thermal resistance, junction -
RthJA
-
-
62
ambient
SMD version, device
on PCB, minimal
footprint
35 SMD version, device
on PCB, 6cm2 cooling
area1)
Soldering temperature,
Tsold
-
-
260 °C reflow MSL1
wave- & reflow soldering allowed
1) Device on 40mm*40mm*1.5mm one layer epoxy PCB FR4 with 6cm2 copper area (thickness 70µm) for drain connection.
PCB is vertical without air stream cooling.
FinalData Sheet
5 Rev. 2.02, 20104-0142-120

5 Page





IPP60R600E6 arduino
Table 16
Typ. transfer characteristics
600V CoolMOS" E6 Power Transistor
IPx60R600E6
Electrical characteristics diagrams
Typ. gate charge
ID=f(VGS); VDS=20V
Table 17
Avalanche energy
VGS=f(Qgate), ID=3.0A pulsed
Drain-source breakdown voltage
EAS=f(Tj); ID=1.3 A; VDD=50 V
FinalData Sheet
VBR(DSS)=f(Tj); ID=0.25 mA
11 Rev. 2.02, 20104-0142-120

11 Page







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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
IPP60R600E6MOSFET ( Transistor )Infineon Technologies
Infineon Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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