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PDF IPB016N06L3G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza IPB016N06L3G
Descripción OptiMOS3 Power Transistor
Fabricantes Infineon Technologies 
Logotipo Infineon Technologies Logotipo



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No Preview Available ! IPB016N06L3G Hoja de datos, Descripción, Manual

Type
OptiMOS™3 Power-Transistor
Features
• Ideal for high frequency switching and sync. rec.
• Optimized technology for DC/DC converters
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance RDS(on)
• N-channel, logic level
• 100% avalanche tested
• Pb-free plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
Type
IPB016N06L3 G
IPB016N06L3 G
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
60 V
1.6 m
180 A
Package
Marking
PG-TO-263-7
016N06L
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D T C=25 °C2)
T C=100 °C
Pulsed drain current3)
I D,pulse T C=25 °C
Avalanche energy, single pulse4) E AS I D=100 A, R GS=25
Gate source voltage
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
1)J-STD20 and JESD22
2) Current is limited by bondwire; with an R thJC=0.6 K/W the chip is able to carry 293 A.
3) See figure 3 for more detailed information
4) See figure 13 for more detailed information
Value
180
180
720
634
±20
250
-55 ... 175
55/175/56
www.DRateavS.he2e.t34U.net
page 1
Unit
A
mJ
V
W
°C
2009-11-16

1 page




IPB016N06L3G pdf
IPB016N06L3 G
5 Typ. output characteristics
I D=f(V DS); T j=25 °C
parameter: V GS
480
10 V 5 V
6 V 4.5 V
400
4V
320
6 Typ. drain-source on resistance
R DS(on)=f(I D); T j=25 °C
parameter: V GS
8
3 V 3.5 V
6
4V
240
3.5 V
160
80 3 V
0
0123
V DS [V]
7 Typ. transfer characteristics
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max
parameter: T j
480
4
400
320
240
160
80
175 °C
25 °C
0
01234
V GS [V]
Rev. 2.3
4
2 4.5 V
5V
10 V
6V
00
5 0 80 160 240 320 400 480
I D [A]
8 Typ. forward transconductance
g fs=f(I D); T j=25 °C
480
440
400
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
50
page 5
80 160 240 320 400 480
I D [A]
2009-11-16

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
IPB016N06L3GOptiMOS3 Power TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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