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PDF IPA65R660CFD Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza IPA65R660CFD
Descripción MOSFET ( Transistor )
Fabricantes Infineon Technologies 
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No Preview Available ! IPA65R660CFD Hoja de datos, Descripción, Manual

MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
CoolMOS CFD
650V CoolMOS™ CFD Power Transistor
IPx65R660CFD
Data Sheet
Rev. 2.0, 2011-02-01
Final
Industrial & Multimarket
www.DataSheet4U.net

1 page




IPA65R660CFD pdf
3 Thermal characteristics
650V CoolMOS™ CFD Power Transistor
IPx65R660CFD
Thermal characteristics
Table 3 Thermal characteristics TO-220; TO-247 & TO-262
Parameter
Symbol
Values
Min.
Typ.
Thermal resistance, junction - case RthJC
Thermal resistance, junction -
ambient
RthJA
-
-
-
-
Soldering temperature,
wavesoldering only allowed at
leads
Tsold
-
-
Max.
2.0
62
260
Unit Note /
Test Condition
°C/W
leaded
°C 1.6 mm (0.063 in.)
from case for 10 s
Table 4 Thermal characteristics TO-220FullPAK
Parameter
Symbol
Min.
Thermal resistance, junction - case RthJC
Thermal resistance, junction -
ambient
RthJA
-
-
Soldering temperature,
wavesoldering only allowed at
leads
Tsold
-
Values
Typ.
-
-
Max.
4.5
80
- 260
Unit Note /
Test Condition
°C/W
leaded
°C 1.6 mm (0.063 in.)
from case for 10 s
Table 5 Thermal characteristics TO-263 and TO-252
Parameter
Symbol
Min.
Values
Typ.
Max.
Unit Note /
Test Condition
Thermal resistance, junction - case RthJC
-
-
2.0 °C/W
Thermal resistance, junction -
RthJA
-
-
62
ambient
SMD version, device
on PCB, minimal
footprint
35 SMD version, device
on PCB, 6cm2 cooling
area1)
Soldering temperature,
Tsold
-
-
260 °C reflow MSL1
wave- & reflowsoldering allowed
1) Device on 40mm*40mm*1.5 epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70µm thick) copper area for drain connection. PCB is
vertical without air stream cooling.
Final Data Sheet
5 Rev. 2.0, 2011-02-01

5 Page





IPA65R660CFD arduino
Table 16
Typ. transfer characteristics
650V CoolMOS™ CFD Power Transistor
IPx65R660CFD
Electrical characteristics diagrams
Typ. gate charge
ID=f(VGS); VDS=20V
Table 17
Avalanche energy
VGS=f(Qgate), ID=3.2 A pulsed
Drain-source breakdown voltage
EAS=f(Tj); ID=1.2 A; VDD=50 V
Final Data Sheet
VBR(DSS)=f(Tj); ID=1.0 mA
11 Rev. 2.0, 2011-02-01

11 Page







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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
IPA65R660CFDMOSFET ( Transistor )Infineon Technologies
Infineon Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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