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PDF RB530S-30 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | RB530S-30 | |
| Descripción | Schottky Barrier Diode | |
| Fabricantes | ROHM Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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Schottky barrier Diode
RB530S-30
Applications
General rectification
Dimensions (Unit : mm)
Features
1)Ultra small mold type. (EMD2)
2)Low IR
3)High reliability
Construction
Silicon epitaxial planer
www.DataSheet4U.com
Land size figure (Unit : mm)
0.8
EMD2
Structure
Taping specifications (Unit : mm)
Absolute maximum ratings (Ta=25C)
Parameter
Symbol
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
VR
Io
Forward current surge peak (60Hz/1cyc)
Junction temperature
IFSM
Tj
Storage temperature
Tstg
Electical characteristics (Ta=25C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
VF
IR
Limits
30
100
500
125
-40 to +125
Unit
V
mA
mA
C
C
Min. Typ. Max.
- - 0.45
- - 0.5
Unit Conditions
V IF=10mA
μA VR=10V
www.rohm.com
©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/3
2010.02 - Rev.A
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| RB530S-30 | Schottky Barrier Diode | ROHM Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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