|
|
PDF 2SC3356W Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SC3356W | |
| Descripción | Silicon Epitaxial Planar Transistor | |
| Fabricantes | Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de 2SC3356W (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 4 Páginas | ||
|
No Preview Available !
BL Galaxywww.DataSheet4U.com Electrical
Production specification
Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
z Low noise and high gain: NF=1.1dB TYP,
Pb
Ga=11dB TYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz Lead-free
z High power gain:MAG=13dB TYP.
@VCE=10V.IC=20mA,f=1.0GHz
2SC3356W
APPLICATIONS
z NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor.
ORDERING INFORMATION
Type No.
Marking
2SC3356W
R23/R24/R25
SOT-323
Package Code
SOT-323
MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VCBO
Collector-Base Voltage
20
VCEO
Collector-Emitter Voltage
12
VEBO
Emitter-Base Voltage
3
IC Collector Current -Continuous
100
PC Collector Dissipation
200
Tj,Tstg
Junction and Storage Temperature
-55~150
Units
V
V
V
mA
mW
℃
Document number: BL/SSSTF001
Rev.A
www.galaxycn.com
1
1 page | ||
| Páginas | Total 4 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet 2SC3356W.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SC3356 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER(NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR) |  NEC |
| 2SC3356 | NPN SILICON TRANSISTOR |  Unisonic Technologies |
| 2SC3356 | NPN Silicon Epitaxial Transistor |  Kexin |
| 2SC3356 | Silicon NPN RF Transistor |  Inchange Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |