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PDF 2SD1663 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SD1663
Descripción Power Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor　
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! 2SD1663 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
www.DataSheet4U.com
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD1663
DESCRIPTION
·High Collector-Base Breakdown Voltage-
: V(BR)CBO= 1500V (Min.)
·High Switching Speed
·Wide Area of Safe Operation
APPLICATIONS
·Designed for power switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
VCBO
VCES
VCEO
PARAMETER
i.cnCollector-Base Voltage
.iscsemCollector- Emitter Voltage
wwwCollector-Emitter Voltage
VALUE UNIT
1500
V
1500
V
700 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7.7 V
IC Collector Current-Continuous
5A
IBB Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
PC @ TC=25℃
TJ Junction Temperature
3A
80 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc Website：www.iscsemi.cn

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SD1662Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTORToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
2SD1662Silicon NPN Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD1663Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD1664Medium Power Transistor (32V/ 1A)ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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