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Número de pieza | 2SC5619 | |
Descripción | SMALL-SIGNAL TRANSISTOR | |
Fabricantes | ETC | |
Logotipo | ||
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概要
2SC5619は、超小形外形樹脂封止形シリコンNPNエピタキシャル
形トランジスタです。
高fTであり、また、コレクタ損失が大きく、ディスプレイモニター用
等として最適です。
外形図
特長
●fTが高い
fT=4.5GHz標準。
●Cobが小さい。Cob=1.0pF標準
●超小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能。
〈小信号トランジスタ〉
2SC5619
高周波増幅用
シリコン NPN エピタキシャル形
2.5
0.5 1.5 0.5
単位:mm
①
②③
用途
TV チューナー、通信機、携帯電話等
記号
VCBO
VEBO
VCEO
IC
PC
Tj
Tstg
項目
コレクタ・ベース間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ電流
コレクタ損失(Ta=25℃)
接合部温度
保存温度
定格値
20
3
12
50
150
+125
-125~
+125
単位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
JEITA:SC-59
JEDEC:TO-236 類似
電極接続
①:ベース
②:エミッタ
③:コレクタ
電気的特性(Ta=25℃)
項目
コレクタ遮断電流
エミッタ遮断電流
直流電流増幅率
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
電力利得
雑音指数
記号
試験条件
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
|S21|2
NF
V CB=10V, I E=0mA
V EB=1V, I C=0mA
V CE=5V ,IC=20mA
V CE=5V, I E=-20mA
V CB=5V, I E=0mA,f=1MHz
V CB=5V, I C=20mA,f=1GHz
V CE=5V, I C=5mA,f=1GHz
マーキング図
最小
-
-
50
-
-
7.5
-
特性値
標準
-
-
-
4.5
1.0
9.0
1.5
最大
0.5
1.0
250
-
-
-
-
単位
μA
μA
-
GHz
pF
dB
dB
GW
形名表示
hFE アイテム
1 page |
Páginas | Total 3 Páginas | |
PDF Descargar | [ Datasheet 2SC5619.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
2SC5610 | DC/DC Converter Applications | Sanyo Semicon Device |
2SC5611 | 60V / 5A High-Speed Switching Applications | Sanyo Semicon Device |
2SC5612 | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE TRANSISTOR | Toshiba Semiconductor |
2SC5617 | NPN SILICON RF TRANSISTOR | NEC |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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