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PDF BFQ591 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BFQ591
Descripción Silicon RF Transistor
Fabricantes Inchange　
Logotipo Inchange Logotipo



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No Preview Available ! BFQ591 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
iscwww.DaStaSilhieceto4Un.coNm PN RF Transistor
isc RF Product Specification
BFQ591
DESCRIPTION
·High Power Gain
·High Current Gain Bandwidth Product
·Low Noise Figure
APPLICATIONS
·Designed for use in MATV or CATV amplifiers and RF
communications subscribers equipment.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
20 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
15 V
VEBO Emitter-Base Voltage
3V
IC Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
PC @TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
200 mA
2.25 W
175 ℃
-65~150
℃
isc Website：www.iscsemi.cn

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BFQ591Silicon RF TransistorInchange
Inchange
BFQ591Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
BFQ591NPN 7 GHz wideband transistorPhilips
Philips

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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