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PDF K2869 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | K2869 | |
| Descripción | MOSFET ( Transistor ) - < 2SK2869 | |
| Fabricantes | Renesas Technology | |
| Logotipo |  |
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2SK2869(L), 2SK2869(S)
www.DataSheet4U.com
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS = 0.033 Ω typ.
• High speed switching
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
REJ03G1037-0200
(Previous: ADE-208-570)
Rev.2.00
Sep 07, 2005
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B
(Package name: DPAK(L)-(2))
4
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C
(Package name: DPAK(S))
4D
12 3
G
1
23
S
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8
1 page  
2SK2869(L), 2SK2869(S)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
www.DataSh2e0et4U.com
16
12 10 V 5 V
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
40
IAP = 20 A
32 VDD = 25 V
duty < 0.1 %
Rg > 50 Ω
24
8
VGS = 0, –5 V
4
Pulse Test
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
16
8
0
25 50 75 100 125 150
Channel Temperature Tch (°C)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1 D=1
0.5
Tc = 25°C
0.3
0.1
0.03
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
shot
Pulse
0.01
10 µ
100 µ
θch – c(t) = γ s (t) • θ ch – c
θch – c = 4.17°C/W, Tc = 25°C
PDM
PW
T
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
Vin
15 V
Avalanche Test Circuit
VDS
Monitor
Rg
L
IAP
Monitor
D. U. T
VDD
50 Ω
Avalanche Waveform
E AR=
1
2
•
L
•
IAP2
•
VDSS
VDSS – VDD
IAP
ID
V(BR)DSS
VDS
VDD
0
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 8
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| K2865 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2865 |  Toshiba |
| K2869 | MOSFET ( Transistor ) - < 2SK2869 | Renesas Technology |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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