DataSheet.es    


PDF IPI100N06S3-03 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza IPI100N06S3-03
Descripción Power-Transistor
Fabricantes Infineon Technologies 
Logotipo Infineon Technologies Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de IPI100N06S3-03 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 8 Páginas

No Preview Available ! IPI100N06S3-03 Hoja de datos, Descripción, Manual

www.DataSheet4U.com
OptiMOS®-T Power-Transistor
Features
• N-channel - Enhancement mode
• Automotive AEC Q101 qualified
• MSL1 up to 260°C peak reflow
• 175°C operating temperature
Green package (lead free)
PG-TO263-3-2
• Ultra low Rds(on)
• 100% Avalanche tested
• ESD Class 3 (HBM)
EIA/JESD22-A114-B
IPB100N06S3-03
IPI100N06S3-03, IPP100N06S3-03
Product Summary
V DS
R DS(on),max (SMD version)
ID
55 V
3.0 m
100 A
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
Type
IPB100N06S3-03
IPI100N06S3-03
IPP100N06S3-03
Package
PG-TO263-3-2
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
Ordering Code
SP0000-87982
SP0000-87992
SP0000-87980
Marking
3PN0603
3PN0603
3PN0603
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Value
Unit
Continuous drain current1)
I D T C=25 °C, V GS=10 V
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse3)
I D,pulse
T C=100 °C,
V GS=10 V2)
T C=25 °C
E AS I D=50 A
Drain gate voltage2)
V DG
Gate source voltage4)
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
100
100
400
690
55
±20
300
-55 ... +175
55/175/56
A
mJ
V
V
W
°C
Rev. 1.0
page 1
2005-09-16

1 page




IPI100N06S3-03 pdf
www.DataSheet4U.com
5 Typ. output characteristics
I D = f(V DS); T j = 25 °C
parameter: V GS
400
10 V
350
300
7V
250
IPB100N06S3-03
IPI100N06S3-03, IPP100N06S3-03
6 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on) = (I D); T j = 25 °C
parameter: V GS
12
5.5 V
5V
10
8
200
6.5 V
6
6V
150
100
50
0
0
6V
5.5 V
5V
4.5 V
246
V DS [V]
7 Typ. transfer characteristics
I D = f(V GS); V DS = 6V
parameter: T j
200
175
150
-55 °C
25 °C
175 °C
4
8V
10 V
2
0
8 0 20 40 60 80 100 120
I D [A]
8 Typ. drain-source on-state resistance
R DS(on) = f(T j); I D = 80 A; V GS = 10 V
5
4
125 3
100
2
75
50
25
0
2345678
V GS [V]
1
0
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 1.0
page 5
2005-09-16

5 Page










PáginasTotal 8 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet IPI100N06S3-03.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
IPI100N06S3-03Power-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar