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PDF F1047B Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | F1047B | |
| Descripción | Infrared Emitting Diode Chip | |
| Fabricantes | Osram Opto Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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www.DataSheet4U.com
GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm)
F 1047A
F 1047B
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im
TOPLED® Gehäuse
• Chipgröße 300 x 300 µm2
• GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Vorderseitenmetallisierung: Aluminium
Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung
• Lieferung: vereinzelt auf Folie
Features
• Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in
TOPLED® package.
• Chipsize: 300 x 300 µm²
• Very highly efficient GaAlAs LED
• High reliability
• High pulse handling capability
• Good spectral match to silicon photodetectors
• Frontside metallization: aluminum
Backside metallization: gold alloy
• Delivery: diced on foil
Anwendungen
• IIR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Lichtschranken bis 500 kHz
• Sensorik
• Diskrete Optokoppler
Applications
• IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
• Remote control for steady and varying
intensity
• Light-reflection switches (max. 500 kHz)
• Sensor technology
• Discrete optocouplers
Typ
Type
F 1047A
F 1047B
Bestellnummer
Ordering Code
Q67220-C1386
on request
Beschreibung
Description
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Kathodenanschluss
Infrared emitting die, top side cathode connection
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Kathodenanschluss,
Oberfläche aufgerauht.
Infrared emitting die, top side cathode connection, surface
frosted
2003-04-11
1
1 page  
www.DataSheet4U.com
Relative Spectral Emission1) IFrel= f (λ)
TA = 25 °C
100
%
Ι rel
80
OHR00877
F 1047A, F 1047B
Radiant Intensity1) Ie/Ie(100mA) = f (IF)
TA = 25 °C, single pulse: tp = 20 µs
10 2
Ιe
Ι e (100mA)
10 1
OHR00878
60 10 0
40 10 -1
20 10 -2
0
750 800 850 900 950 nm 1000
λ
Forward Current1)
IF= f (VF), Single pulse, tp = 20 ms, TA = 25 °C
10 1 OHR00881
ΙF A
10 0
10 -1
10 -3
10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4
ΙF
Permissible Pulse Power1)
Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C
104 OHR00886
mA
ΙF
103 0.1
0.2
D = 0.005
0.01
0.02
0.05
0.5
10 -2
10 -3
0 12 3 4 5 6V 8
VF
1) Based on typ.(see page 2, footnote 2 for explanation)
data measured in OSRAM Opto Semiconductor’s
TOPLED® package.
102 DC
D
=
tp
T
tp
ΙF
T
10 1
10
-5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
101 s 102
tp
2003-04-11
5
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| F1047A | Infrared Emitting Diode Chip | Osram Opto Semiconductors |
| F1047B | Infrared Emitting Diode Chip | Osram Opto Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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