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PDF GE1046 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GE1046 | |
| Descripción | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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ISSUED DATE :2005/08/10
REVISED DATE :
GE1046
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GE1046 is designed for general purpose application.
Features
Low Collector Saturation Voltage : VCE (sat) =-1.0V (Max.) @ IC=-2A, IB=-0.2A,
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings (TA=25 )
Parameter
Symbol
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Base Current
IB
Total Device
Dissipation
TA=25
TC=25
PD
PD
Junction Temperature
TJ
Storage Temperature
Tstg
REF.
A
b
c
D
E
L4
L5
Millimeter
Min. Max.
4.40 4.80
0.76 1.00
0.36 0.50
8.60 9.00
9.80 10.4
14.7 15.3
6.20 6.60
REF.
c1
b1
L
e
L1
Ø
A1
Millimeter
Min. Max.
1.25 1.45
1.17 1.47
13.25 14.25
2.54 REF.
2.60 2.89
3.71 3.96
2.60 2.80
Ratings
-60
-60
-7
-3
-0.5
2
20
150
-55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
W
Electrical Characteristics (TA = 25
Symbol
Min.
Typ.
BVCBO
-60 -
BVCEO
-60 -
BVEBO
-7 -
ICBO
--
IEBO
--
*VCE(sat)
--
*VBE(on)
--
*hFE1
100 -
*hFE2
20 -
fT - 30
Cob - 45
ton (Turn-on Time)
-
0.4
tstg (Storage Time)
-
1.7
tf (Fall Time)
- 0.5
unless otherwise noted)
Max.
Unit
Test Conditions
- V IC=-100uA, IE=0
- V IC=-50mA, IB=0
- V IE=-100uA, IC=0
-100
uA VCB=-60V, IE=0
-100
uA VEB=-7V, IC=0
-1.0 V IC=-2A, IB=-0.2A
-1.0 V VCE=-5V, IC=-0.5A
320 VCE=-5V, IC=-0.5A
- VCE=-5V, IC=-3A
- MHz VCE=-5V, IC=-0.5A
- pF VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
-
- uS See specified test circuit
-
*Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
2%
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GE1046 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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