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PDF GTT2604 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza GTT2604
Descripción N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Fabricantes GTM 
Logotipo GTM Logotipo



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No Preview Available ! GTT2604 Hoja de datos, Descripción, Manual

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Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006/03/28
REVISED DATE :
GTT2604
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
30V
45m
5.5A
Description
The GTT2604 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance,
extremely efficient and cost-effectiveness device.
The GTT2604 is universally used for all commercial-industrial applications.
Features
*Fast Switching Characteristic
*Lower Gate Charge
*Small Footprint & Low Profile Package
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3, VGS@4.5V
Continuous Drain Current3, VGS@4.5V
Pulsed Drain Current1,2
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
VDS
VGS
ID @TA=25
ID @TA=70
IDM
PD @TA=25
Tj, Tstg
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient3 Max.
Symbol
Rthj-a
REF.
A
A1
A2
c
D
E
E1
Millimeter
Min. Max.
1.10 MAX.
0 0.10
0.70 1.00
0.12 REF.
2.70 3.10
2.60 3.00
1.40 1.80
REF.
L
L1
b
e
e1
Millimeter
Min. Max.
0.45 REF.
0.60 REF.
0° 10°
0.30 0.50
0.95 REF.
1.90 REF.
Ratings
30
±20
5.5
4.4
20
2
0.016
-55 ~ +150
Value
62.5
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Unit
/W
1/4

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
GTT2602N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETGTM
GTM
GTT2603P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETGTM
GTM
GTT2604N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETGTM
GTM
GTT2605P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETGTM
GTM

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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