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PDF GSMBT4075 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GSMBT4075 | |
| Descripción | TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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www.DataSheet4U.com
ISSUED DATE :2005/07/22
REVISED DATE :
GSMBT4075
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GSMBT4075 is designed for general purpose switching and amplifier applications.
Features
Excellent hFE Linearity : hFE (0.1mA)/ hFE (2mA)=0.95 (Typ.)
High hFE : hFE = 70~700
Complementary to GSMBT2014
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Base Current
IB
Total Power Dissipation
PD
Electrical Characteristics (Ta = 25 )
Symbol
Min. Typ. Max.
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE1
*hFE2
fT
Cob
60 -
-
50 -
-
5- -
- - 100
- - 100
- - 250
- -1
70 - 700
25 -
-
80 -
-
- - 3.5
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
V
MHz
pF
Classification Of hFE1
Rank
LO
Range
70 - 140
LY
120 - 240
REF.
A
A1
A2
D
E
HE
Millimeter
Min. Max.
0.80 1.10
0 0.10
0.80 1.00
1.80 2.20
1.15 1.35
1.80 2.40
REF.
L1
L
b
c
e
Q1
Millimeter
Min. Max.
0.42 REF.
0.15 0.35
0.25 0.40
0.10 0.25
0.65 REF.
0.15 BSC.
Ratings
+150
-55~+150
60
50
5
150
30
225
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
Test Conditions
IC=100uA , IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=10uA ,IC=0
VCB=60V, IE=0
VEB=5V, IC=0
IC=100mA, IB=10mA
IC=100mA, IB=10mA
VCE=6V, IC=2mA
VCE=6V, IC=150mA
VCE=10V, IC=1mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
2%
LG
200 - 400
LB
350 - 700
1/2
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| PDF Descargar | [ Datasheet GSMBT4075.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GSMBT4075 | TRANSISTOR | GTM |
| GSMBT4076 | TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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