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PDF CED51A3 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza CED51A3
Descripción N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fabricantes CET 
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CED51A3/CEU51A3
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
30V, 35A, RDS(ON) = 14m(typ) @VGS = 10V.
RDS(ON) = 21m(typ) @VGS = 4.5V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-251 & TO-252 package.
D
D
G
S
CEU SERIES
TO-252(D-PAK)
G
DS
CED SERIES
TO-251(I-PAK)
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM
PD
30
±20
35
140
50
0.33
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 175
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
3
50
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
2004.October
6 - 70
http://www.cetsemi.com

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
CED51A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorCET
CET

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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