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PDF CEG8205A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza CEG8205A
Descripción Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fabricantes CET　
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No Preview Available ! CEG8205A Hoja de datos, Descripción, Manual

CEG8205A
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
20V, 6A, RDS(ON) = 21mΩ (typ) @VGS = 4.5V.
RDS(ON) = 30mΩ (typ) @VGS = 2.5V.
Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TSSOP-8 for Surface Mount Package.
G2
S2
S2
D
TSSOP-8
G1
S1
S1
D
D1
S1 2
S1 3
G1 4
8D
7 S2
6 S2
5 G2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
VDS 20
VGS ±12
ID 6
IDM 25
Maximum Power Dissipation
PD 1.5
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient b
Symbol
RθJA
Limit
83
Units
V
V
A
A
W
C
Units
C/W
Rev 1. 2005.November
8 - 18
http://www.cetsemi.com

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
CEG8205Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorCET
CET
CEG8205ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorCET
CET

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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