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PDF 2SB1132 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SB1132 | |
| Descripción | PNP Plastic-Encapsulate Transistors | |
| Fabricantes | Weitron Technology | |
| Logotipo |  |
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PNP Plastic-Encapsulate Transistors
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25%C)
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature, Storage Temperature
IC
ICP
PCwww.DataSheet4U.com
Tj , Tstg
* Single pulse Pw = 100ms
DEVICE MARKING
2SB1132P=BAP, 2SB1132Q=BAQ, 2SB1132R=BAR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Collector-Base Breakdown Voltage (IC= -50 uAdc, IE =0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC= -1 mAdc, IB=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage (IE= -50 uAdc, IC=0)
Collector Cutoff Current (VCB= -20Vdc, IE=0)
Emitter Cutoff Current (VEB= -4.0 Vdc, IC=0)
2SB1132
SOT-89
1
1. BASE
2
3
2. COLLECTOR
3. EMITTER
Value
-40
-32
-5.0
-1.0
-2.0
0.5
150, -55 to +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
A(DC)
A (Pulse)*
W
%C
Symbol Min Max Unit
V(BR)CBO
-40
-
Vdc
V(BR)CEO
-32
-
Vdc
V(BR)EBO
-5.0
-
Vdc
ICBO
IEBO
- -0.5 uAdc
- -0.5 uAdc
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1 page  
2SB1132
SOT-89 Outline Dimensions
E
GA
J CH
K
L
B
D
unit: mm
SOT-89
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Min Max
1.400
1.600
0.320
0.520
0.360
0.560
0.350
0.440
4.400
4.600
1.400
1.800
2.300
2.600
3.940
4.250
1.500TYP
2.900
3.100
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SB1130AM | Epitaxial Planar PNP Silicon Transistor |  ROHM Semiconductor |
| 2SB1131 | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor |  Sanyo Semicon Device |
| 2SB1132 | Medium Power Transistor | ROHM Semiconductor |
| 2SB1132 | PNP Plastic-Encapsulate Transistors | Weitron Technology |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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