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PDF BLV7002 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BLV7002
Descripción N-channel Enhancement Mode Vetical D-MOS Transistor
Fabricantes SHANGHAI BELLING 
Logotipo SHANGHAI BELLING Logotipo



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BLV7002
BLV7002 N-channel Enhancement Mode
Vertical D-MOS Transistor Chip
Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Features
Very fast switching
Logic level compatible
Applications
Relay driver
High speed line driver
Logic level translator.
structure
Planar type
Electrodes: Aluminum alloy
Backside metal: Au alloy
Size
Chip size: 495µm ×490µm
Chip thickness: 220±20µm.
Scribe street width: 50µm
Pad size: 90µm x90µm
Die per wafer: 25800
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
Ptot
TSTG
Tj
Parameter
Drain – source voltage (DC)
Gate – source voltage (DC)
Drain current (DC)
Peak drain current
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
Min.
-
-
-
-
-
-55
-
Max.
60
±20
115
0.46
0.2
+150
150
Unit
V
V
mA
A
W
oC
oC
http://www.belling.com.cn
-1-
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8/18/2006

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BLV7002N-channel Enhancement Mode Vetical D-MOS TransistorSHANGHAI BELLING
SHANGHAI BELLING

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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