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PDF NTE276 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE276 | |
| Descripción | Silicon Controlled Rectifier | |
| Fabricantes | NTE Electronics | |
| Logotipo |  |
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NTE276
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
Gate Controlled Switch
Features:
D Gate Turn−Off Thyristor
D High Speed Power Switching
D TV Horizontal Output
D Inverter and Converter Application
D Supplied in a Japanese TO66 Type Package
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Non−Repetitive Peak Off−State Voltage (TJ = −40° to +120°C, VGK = 0), VDSM . . . . . . . . . . . 1400V
Repetitive Peak Off−State Voltage (TJ = −40° to +120°C, VGK = 0), VDRM . . . . . . . . . . . . . . . . 1250V
DC On−State Anode Current (TC = +60°C), IT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
Surge
On−State
t = 100µs
Current
.......
.(T. .C.
= +60°C),
.........
I.T.S.M.
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80A
t = 1ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33A
Peak Forward Gate Current (TC = +60°C, t = 1ms), IGFM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Average Forward Gate Power Dissipation (TC = +60°C), PGF(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W
Peak Reverse Gate Power Dissipation (TC = +60°C, t = 5µs), PGRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W
Average Reverse Gate Power Dissipation (TC = +60°C), PGR(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47.5W
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +120°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −50° to +120°C
Thermal Resistance,
Typical . . . . . .
Junction−to−Case,
.................
.R.th. J.C.
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1.3°C/W
Maximum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0°C/W
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Controllable Anode Current
On−State Voltage
wGwatwe .TDriaggtaeSr Vhoelteatg4eU.com
Gate Trigger Current
ITC VD = 100V, VGR = 9V, Rg = 0
VT IT = 5A, IGF = 300mA
VGT VD = 10V
IGT VD = 10V
Min Typ Max Unit
25 − − A
− − 5.3 V
− − 1.5 V
− − 120 mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE27 | Germanium PNP Transistor High Current / High Gain Amp |  NTE |
| NTE270 | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp / Switch | NTE |
| NTE2708 | Integrated Circuit NMOS / 8K UV EPROM / 450ns | NTE |
| NTE271 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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