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PDF 2N5070 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2N5070
Descripción NPN Silicon RF Power Transistor
Fabricantes Advanced Semiconductor　
Logotipo Advanced Semiconductor Logotipo



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( DataSheet : www.DataSheet4U.com )
2N5070
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI 2N5070 is Designed for High
Power Linear Amplifier Application in the
2.0 to 75 MHz Range.
FEATURES INCLUDE:
• Emitter Ballasted
• Common Emitter Package
MAXIMUM RATINGS
3.3 A
IC 10 A (PEAK)
VCE
PDISS
TSTG
θJC
30 V
70 W @ TC = 25 OC
-65 OC to +200 OC
2.5 OC/W
PACKAGE STYLE TO- 60
1 = EMITTER
2 = BASE
3 = COLLECTOR CASE = EMITTER
CHARACTERISTICS TC = 25 OC
SYMBOL
TEST CONDITIONS
BVCEO
IC = 200 mA
BVCER
IC = 200 mA RBE = 5.0 Ω
ICEO
VCE = 30 V
ICEV VCE = 60 V VBE = -1.5 V
VCE = 60 V VBE = -1.5 V
TC = 150 OC
ICBO
VCB = 60 V
IEBO
VEB = 4.0 V
hFE
VCE = 5.0 V IC = 1.0 A
IC = 3.0 A
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
30
40
5.0
10
10
10
10
10 100
10 100
UNITS
V
V
mA
mA
mA
mA
---
Cob VCB = 30 V
ft VCE = 15 V IC = 1.0 A
f = 1.0 MHz
f = 50 MHz
100
85 pF
MHz
Pin
η
IMD
VCE = 28 V Pout = 25 W(PEP)
f1 = 30 MHz f2 = 30.001 MHz
Zg = 50 Ω
40
1.25 W
%
-30 dB
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
www.DataSheet4U.com
REV. A
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2N5070Diode ( Rectifier )American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
2N5070NPN Silicon RF Power TransistorAdvanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
2N5070Trans GP BJT NPN 200V 3A 3-Pin TO-59New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
2N5075Trans GP BJT NPN 200V 3A 3-Pin TO-59New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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