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PDF 9018 Datasheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 9018
Descripción Silicon NPN Epitaxial Transistor
Fabricantes Shanghai SIM-BCD Semiconductor 
Logotipo Shanghai SIM-BCD Semiconductor Logotipo

Total 1 Páginas
		
9018 Hoja de datos, Descripción, Manual
9018
9018 Silicon NPN Epitaxial Transistor
Description :The 9018 is designed for UHF general amplifier applications
Features: Excellent hFE Linearity
Excellent fT characteristic
Chip Appearance
Chip Size
Chip Thickness
Bonding Pad Size
Front Metal
Backside Metal
Scribe line width
Wafer Size
Base
Emitter
360um×360um
210±20um
φ65um
φ65um
AlSiCu
Au (As)
50um
6 inch
Electrical Characteristics( Ta=25)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
DC Current Gain
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
hFE
VCB=20V, IE=0
VEB=3V, IC=0
IC=0.1mA
IC=1mA
IE=0.1mA
VCE=5V, IC=1mA
Min Max
0.1
0.1
30
20
5
60 200
Collector Saturation Voltage
VCE(sat) IC=10mA,IB=1mA
0.3
Unit
uA
uA
V
V
V
V
May.2004
Version :0.0
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
9011MSilicon NPN transistorFOSHAN BLUE ROCKET
FOSHAN BLUE ROCKET
9012(9012 - 9017) NAND GATES/HEX INVERTERSETC
ETC
9012PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORUnisonic Technologies
Unisonic Technologies
9012HPNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORUnisonic Technologies
Unisonic Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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