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PDF UF282OP Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | UF282OP | |
| Descripción | RF MOSFET Power Transistor | |
| Fabricantes | Tyco Electronics | |
| Logotipo |  |
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RF MOSFET Power Transistor, 2OW, 28V
100 - 500 MHz
Features
l N-Channel Enhancement Mode Device
l DMOS Structure
l Lower Capacitances for Broadband Operation
l Common Source Configuration
l Lower Noise Floor
UF2820P
v2.00
Absolute Maximum Ratings at 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Units
Drain-Source Voltage
1 Gate-Source Voltage
Drain-Source Current
Power Dissipation
Junction Temperature
V05
I VGS I
IDS
PD
T,
65
20
2.8
53
200
V
Iv
A
W
“C
I
I StorageTemperature
1 Thermal Resistance
I TSTG 1 -55to+150 I “C (
Electrical Characteristics at 25°C
Parameter
Symbol
Min Max Units
lest Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage
BV,,, 65 - V V,,=O.O V, 1,,=4.0 mA‘
Drain-Source Leakage Current
Gate-Source Leakage Current
GateThreshold Voltage
Forward Transconductance
_Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Capacitance
Power Gain
Drain Efficiency
Load Mismatch Tolerance
‘DSS
‘ass
2.0 mA V,,=28.0 V, V,,=O.O V’
1 1,
2.0 pA V&20 v, v,,=o.o V’
V
GWHI
GM
2.0 6.0
.160 -
V V&O.0 V, 1,,=200.0 mA’
S V&O.0 V, 1,,=200.0 mA, AV,,=l .O V, 80 us Pulse’
CES
14 pF V,,=28.0 V, F=l .OMHz’
Cass
10 pF ‘.‘,,=28.0 V, F=l .OMHz’
CRSS
4.8 pF V,,=28.0 V, F=l .OMHz’
I G./
10 - dB
I,I
V,,=28.0
--
V,
1--,,=20-~0.0
mA.
P-.._=20.0
“VI
W. F=500
MHz
qD
VSWR-T
50 - % V,D=28.0 V, 1,,=200.0 mA, P,U,=20.0 W, F=500 MHz
I I1
- 1 2O:l 1 - ( V,,=28.0 V, 1,,=200.0 mA, P,,p20.0 W, FSOO MHz
* PerSide
Specifications Subject to Change Without Notice.
MIA-COM, inc.
I
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1
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| UF282OP | RF MOSFET Power Transistor | Tyco Electronics |
| UF282OR | RF MOSFET Power Transistor | Tyco Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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