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PDF FZ1200R17KF6B2 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza FZ1200R17KF6B2
Descripción IGBT Power Module
Fabricantes Eupec 
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6 B2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC = 80 °C
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms, TC = 80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VISOL
1700
1200
2400
2400
9,6
+/- 20V
1200
2400
440
4
V
A
A
A
kW
V
A
A
kA2s
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC = 1200A, V GE = 15V, Tvj = 25°C
IC = 1200A, V GE = 15V, Tvj = 125°C
IC = 80mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
gate charge
VGE = -15V ... +15V
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
VCE = 1700V, V GE = 0V, Tvj = 25°C
VCE = 1700V, V GE = 0V, Tvj = 125°C
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
prepared by: Oliver Schilling
approved by: Chr. Lübke; 08.10.99
date of publication: 4.9.1998
revision: 2 (serie)
1(8)
VCE sat
min.
typ.
2,6
3,1
max.
3,1
3,6
V
V
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
QG
14,5
µC
Cies 79 nF
Cres 4 nF
ICES 0,03 2,5 mA
16 120 mA
IGES 400 nA
FZ1200R17KF6B2

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FZ1200R17KF6B2 pdf
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6 B2
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
IC = f (VGE)
VCE = 20V
2400
2200
2000
1800
Tj = 25°C
Tj = 125°C
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
5 6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0,0
Tj = 125°C
Tj = 25°C
0,5 1,0 1,5 2,0
VF [V]
5(8)
I F = f (VF)
2,5 3,0
FZ1200R17KF6B2

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
FZ1200R17KF6B2IGBT Power ModuleEupec
Eupec

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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