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PDF NTE998 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza NTE998
Descripción Integrated Circuit 1.22V Reference Diode
Fabricantes NTE Electronics 
Logotipo NTE Electronics Logotipo



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NTE998
Integrated Circuit
1.22V Reference Diode
Description:
The NTE998 is a temperature compensated low voltage reference device in a TO92 type package.
A single monolithic structure is obtained by utilizing transistors and thin film resistors. Benefits of this
construction is low noise, low current, and good long term stability associated with modern integrated
circuits.
These characteristics make this device ideal for applications in battery operated equipment or where
low power is necessary.
Features:
D Low Breakdown Voltage: 1.220V typ
D Low Bias Current: 50µA
D Temperature Stability: .005 to .01%/°C
Absolute Maximum Ratings:
Power Dissipation (free air) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mW
Linear Derating Factor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C
Forward Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mA
Reverse Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mA
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Operating Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0° to +70°C
Lead Temperature (Soldering, 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C
Electrical Characteristics:
Parameter
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Breakdown Voltage Change
Reverse Dynamic Impedance
Forward Voltage Drop
RMS Noise Voltage
Breakdown Voltage Temperatue Coefficient
Reverse Current
Test Conditions
IR = 500µA
50µA IR 5mA
IR = 50µA
IR = 500µA
IF = 500µA
IF = 500µA
50µA IR 5mA
Min Typ Max Unit
1.20 1.22 1.25 V
– 15 20 mV
– 12
– 12
– 0.7 1.0 V
– 0.7 1.0 V
– 0.003 0.01 %/°C
0.05 – 5.0 mA

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
NTE99Silicon NPN Transistor Darlington w/Base-Emitter Speed-up DiodeNTE Electronics
NTE Electronics
NTE990Integrated Circuit Dual Audio Power AmplifierNTE Electronics
NTE Electronics
NTE992Integrated Circuit Quad / Single Supply Operational AmplifierNTE Electronics
NTE Electronics
NTE9936DTL / Hex InverterNTE Electronics
NTE Electronics

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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