|
|
Número de pieza | NTE6088 | |
Descripción | Silicon Dual Schottky Rectifier | |
Fabricantes | NTE Electronics | |
Logotipo | ||
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE6088 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
No Preview Available ! NTE6088
Silicon Dual Schottky Rectifier
Description:
The NTE6086 is a silicon dual power rectifier in a TO220 type package designed using the Schottky
Barrier principle with a platinum barrier metal.
Features:
D 20 Amps Total (10 Amps Pre Diode Leg)
D Guarding for Stress Protection
D Low Forward Voltage
D +150°C Operating Junction Temperature
D Guaranteed Reverse Avalanche
Absolute Maximum Ratings (Per Diode Leg):
Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Working Peak Reverse Voltage, VRWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
DC Blocking Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Average Rectified Forward Current (VR = 100V, TC = +133°C), IF(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Peak Repetitive Forward Current (VR = 100V, Square Wave, 20kHz, TC = +133°C), IFRM . . . . 20A
Non–Repetitive Peak Surge Current, IFSM
(Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60Hz) . . . . . . . . . . 150A
Peak Repetitive Reverse Current (2µs, 1kHz), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5A
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C
Voltage Rate of Change (VR = 100V), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V/µs
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60°C/W
Electrical Characteristics (Per Diode Leg): (Note 1)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Instantaneous Forward Voltage
vF iF = 10A, TC = +125°C
Instantaneous Reverse Current
iF = 10A, TC = +25°C
iF = 20A, TC = +125°C
iF = 20A, TC = +25°C
iR VR = 100V, TC = +125°C
VR = 100V, TC = +25°C
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Min Typ Max Unit
– – 0.70 V
– – 0.80 V
– – 0.85 V
– – 0.95 V
– – 150 mA
– – 0.15 mA
1 page |
Páginas | Total 2 Páginas | |
PDF Descargar | [ Datasheet NTE6088.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
NTE6080 | Silicon Schottky Barrier Rectifier | NTE Electronics |
NTE6081 | Silicon Schottky Barrier Rectifier | NTE Electronics |
NTE6082 | Silicon Schottky Barrier Rectifier | NTE Electronics |
NTE6083 | Schottky Barrier Rectifier ( Diode ) | NTE Electronics |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |