DataSheet.es    


PDF NTE595 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza NTE595
Descripción Silicon Diode / Dual / Common Cathode / High Speed
Fabricantes NTE Electronics 
Logotipo NTE Electronics Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE595 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 2 Páginas

No Preview Available ! NTE595 Hoja de datos, Descripción, Manual

NTE595
Silicon Diode, Dual, Common Cathode,
High Speed
Description:
The NTE595 consists of two silicon diodes in an SOT–23 type surface mount package. The cathodes
are common and the device is intended for high–speed switching applications in thick and thin–film
circuits.
Absolute Maximum Ratings:
Continuous Reverse Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V
Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V
Non–Repetitive Peak Forward Current (Per device, t = 1s), IFSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Average Rectified Forward Current (Average over any 20ms period, Note 1), IF(Av) . . . . . . 250mA
DC Forward Current, IF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA
Repetitive Peak Forward Current, IFRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA
Total Power Dissipation (TA +25°C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 2), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430K/W
Note 1. Measured under pulse conditions: tp 0.5ms, IF(AV) = 150mA, t(av) 1ms, for sinusoidal
operation.
Note 2. Mounted on a ceramic substrate of .314 (8mm) x .393 (10mm) x .027 (0.7mm).
Electrical Characteristics (Per Diode): (TJ = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ
Forward Voltage
Reverse Current
Diode Capacitance
Forward Recovery Voltage
(When switched to IF = 10mA)
VF IF = 1mA
IF = 10mA
IF = 50mA
IF = 150mA
IR VR = 70V
VR = 70V, TJ = +150°C
Cd VR = 0, f = 1MHz
Vfr tr = 20ns
Max Unit
715 mV
855 mV
1000 mV
1250 mV
5 µA
100 µA
1.5 pF
1.75 V

1 page





PáginasTotal 2 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet NTE595.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
NTE59Silicon Complementary TransistorsNTE
NTE
NTE590Diode ( Rectifier )American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
NTE5900Silicon Power Rectifier Diode / 16 AmpNTE Electronics
NTE Electronics
NTE5906Silicon Power Rectifier Diode / 40 AmpNTE Electronics
NTE Electronics

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar