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PDF NTE5593 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE5593 | |
| Descripción | Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications | |
| Fabricantes | NTE Electronics | |
| Logotipo |  |
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NTE5587, NTE5589, NTE5593
Silicon Controlled Rectifier
for Phase Control Applications
Features:
D Low On–State Voltage
D High di/dt
D High dv/dt
D Excellent Surge and I2t Ratings
Applications:
D Power Supplies
D Battery Chargers
D Motor Controls
Absolute Maximum Ratingsand Electrical Characteristics:
Repetitive Peak Voltages, VDRM & VRRM
NTE5587 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5589 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
NTE5593 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
RMS On–State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A
Average On–State Current, IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350
Peak One–Cycle, Non–Repetitive On–State Surge Current, ITSM
50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9100A
60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10,000A
Critical Rate–of–Rise of On–State Current, di/dt
Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A/µs
Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800A/µs
I2t fo Fusing (8.2ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 416,000A2sec
Peak Gate Power Dissipation, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W
Peak On–State Voltage (ITM = 625A, TJ = +25°C), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4V
Peak Forward Leakage Current (At VDRM, TJ = +125°C), IDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
Peak Reverse Leakage Current (At VRRM, TJ = +125°C), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
Gate Current to Trigger (VD = 12V, TJ = +25°C), IGT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA
Gate Voltage to Trigger (VD = 12V, TJ = +25°C), VGT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Non–Triggering Gate Voltage (At VDRM, TJ = +125°C), VGDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.15V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE5590 | Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp | NTE Electronics |
| NTE5591 | Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp | NTE Electronics |
| NTE5592 | Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp | NTE Electronics |
| NTE5593 | Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications | NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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