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PDF NTE5574 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza NTE5574
Descripción Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
Fabricantes NTE 
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NTE5570, NTE5572, & NTE5574
Silicon Controlled Rectifier
for Phase Control Applications
Electrical Characteristics: (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Voltages, VDRM & VRRM
NTE5570 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5572 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5574 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM
NTE5570 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
NTE5572 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V
NTE5574 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V
Average On–State Current (Half Sine Wave, 180°, TC = +85°C), IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A
RMS On–State Current (DC @ TC = +75°C), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125A
Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current (10ms Duration, Sinusoidal Half Wave), ITSM
No Voltage Reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1900A
100% VRRM Reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600A
Maximum I2t for Fusing (10ms Duration, Sinusoidal Half Wave), I2t
No Voltage Reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18000A2sec
100% VRRM Reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12700A2sec
Peak Positive Gate Current (5ms Pulse Width), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A
Peak Positive Gate Voltage (5ms Pulse Width), +VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Peak Negative Gate Voltage (5ms Pulse Width), –VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
Average Gate Power (f = 50Hz, Duty Cycle = 50%), PG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W
Peak Gate Power (50ms Pulse Width), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12W
Rate of Rise of Off–State Voltage (Exponential to 67% Rated VDRM), dv/dt . . . . . . . . . . . . 500V/µs
Rate of Rise of ON–State Current, di/dt
(Gate Drive 20V, 65, with tr = 0.5µs, Vd = Rated VDRM, ITM = 2 x di/dt snubber 0.2µF)
Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A/µs
Typical Delay Time, td
(Gate Pulse: 10V, 15Source, tp = 6µs, tr = 0.1µs, Vd = rated VDRM, ITM = 50A) . . . . . 1µs
Typical Turn–On Time, tq
(ITM = 50A, di/dt = –5A/µs min, VR = 50V, dv/dt = 20V/µs, Gate Bias: 0V 25, tp = 500µs) 110µs
On–State Voltage (IPk = 250A, 10ms Sine Pulse), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6V
Repetitive Peak Off–State Current (At VDRM), IDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA
Repetitive Peak Reverse Current (At VRRM), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA
Maximum Gate Current Required to Trigger, IGT
(6V Anode–to–Cathode Applied, TJ = +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120mA
Maximum Gate Voltage Required to Trigger, VGT
(6V Anode–to–Cathode Applied, TJ = +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5V
Maximum Holding (Anode Supply 12V Resistive Load, TJ = +25°C), IH . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA
Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, VGD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
NTE5570Silicon Controlled Rectifier for Phase Control ApplicationsNTE
NTE
NTE5571Silicon Controlled Rectifier (SCR) for Phase Control ApplicationsNTE
NTE
NTE5572Silicon Controlled Rectifier for Phase Control ApplicationsNTE
NTE
NTE5574Silicon Controlled Rectifier for Phase Control ApplicationsNTE
NTE

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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