|
|
PDF NTE5514 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE5514 | |
| Descripción | Silicon Controlled Rectifier (SCR) | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE5514 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
|
No Preview Available !
NTE5514 thru NTE5516
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Off–State Voltage (TJ = +100°C), VDRM
NTE5514 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5515 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5516 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Repetitive Peak Reverse Voltage (TJ = +100°C), VRRM
NTE5514 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5515 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5516 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
RMS On–State Current (TC = +75°C), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle, 50Hz or 60Hz), ITSM . . . . . . . . . 200A
Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Peak Gate–Power Dissipation (IGT ≤ IGTM for 3µs Max), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W
Average Gate–Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W
Operating Temperatue Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3°C/W
Electrical Characteristics: (At Maximum Ratings and Specified Case Temperatures)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Peak Off–State Current
IDRM, TJ = +100°C, Gate Open,
IRRM VDRM and VRRM = Max. Rating
– – 2.0 mA
Maximum On–State Voltage (Peak) VTM TC = +25°C
– – 1.9 V
Peak On–State Current
ITM
– – 40 A
DC Holding Current
IH TC = +25°C, Gate Open
– – 50 mA
DC Gate–Trigger Current
IGT Anode Voltage = 12V, RL = 30Ω, TC = +25°C – – 25 mA
DC Gate–Trigger Voltage
VGT Anode Voltage = 12V, RL = 30Ω, TC = +25°C – – 2.0 V
Gate Controlled Turn–On Time
tgt td + tr, IGT = 150mA
– 2.5 – µs
Critical Rate–of–Rise of
Off–State Voltage
Critical TC = +100°C, Gate Open
dv/dt
– 100 – V/µs
1 page | ||
| Páginas | Total 2 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet NTE5514.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE5511 | Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp | NTE |
| NTE5513 | Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp | NTE |
| NTE5514 | Silicon Controlled Rectifier (SCR) | NTE |
| NTE5516 | Silicon Controlled Rectifier (SCR) | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |