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Número de pieza | NTE27 | |
Descripción | Germanium PNP Transistor High Current / High Gain Amp | |
Fabricantes | NTE | |
Logotipo | ||
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Germanium PNP Transistor
High Current, High Gain Amp
Description:
The NTE27 is a PNP germanium power transistor designed for high current applications requiring
high–gain and low saturation voltages.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +110°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +110°C
Thermal Resistance, Junction to Case, RΘJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +0.5°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 1A, IB = 0, Note 1
45 – – V
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CES IC = 300mA, VBE = 0
60 – – V
Floating Potential
VEBF VCB = 60V, IE = 0
– – 0.5 V
Collector Cutoff Current
ICEX
VCE = 45V, VBE(off) = 2V,
TC = +71°C
– – 15 mA
ICBO VCB =60V, IE = 0
– – 4 mA
Emitter Cutoff Current
IEBO VBE = 30V, IC = 0
– – 4 mA
VBE = 30V, IC = 0, TC = +71°C – – 15 mA
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PDF Descargar | [ Datasheet NTE27.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
NTE20 | Silicon Complementary Transistors High Power / Low Collector Saturation Voltage Power Output | NTE |
NTE2000 | (NTExxxx) Linear Integrated Circuits | NTE Electronics |
NTE2001 | (NTExxxx) Linear Integrated Circuits | NTE Electronics |
NTE2003 | Integrated Circuit Dolby B-Type Noise Reduction Processor | NTE |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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