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PDF NTE2593 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2593 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2593
Silicon NPN Transistor
High Voltage Amp/Switch
Features:
D High Breakdown Voltage: V(BR)CEO = 2100V Min
D Low Output Capacitance
D Wide ASO Range
D Isolated TO220 Type Package
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2100V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2100V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain Bandwidth Product
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Output Capacitance
ICBO
IEBO
hFE
fT
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
Cob
VCB = 2100V, IE = 0
VEB = 4V, IC = 0
VCE = 5V, IC = 500µA
VCE = 10V, IC = 500µA
IC = 1mA, IB = 200µA
IC = 1A, IB = 200µA
IC = 10µA, IE = 0
IC = 100µA, RBE = ∞
IE = 10µA, IC = 0
VCB = 100V, f = 1MHz
Min Typ Max Unit
– – 1 µA
– 1 µA
10 – 60
– 6 – MHz
– – 5V
– – 2V
2100 – – V
2100 – – V
5 – –V
– 1.3 – pF
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE2590 | Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch | NTE |
| NTE2591 | Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch | NTE |
| NTE2592 | Silicon NPN Transistor Horizontal Output for HDTV | NTE |
| NTE2593 | Silicon NPN Transistor High Voltage Amp/Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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