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PDF NTE2585 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2585 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor High Voltage Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2585
Silicon NPN Transistor
High Voltage Amplifier
Features:
D High Breakdown Voltage
D Low Output Capacitance
D High Reliability
D Intended for High–Density Mounting (Suitable for Sets Whose Height is Restricted)
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Collector Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Emitter Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.65W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain–Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Saturation Voltage
Collector Base Breakdown Voltage
Collector Emitter Breakdown Voltage
Emitter Base Breakdown Voltage
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
VCB = 800V, IE = 0
VEB = 5V, IC = 0
VCE = 5V, IC = 2mA
VCE = 5V, IC = 10mA
VCE = 10V, IC = 2mA
VCB = 100V, f = 1MHz
IC = 10mA, IB = 2mA
IC = 10mA, IB = 2mA
IC = 100µA, IE = 0
IC = 1mA, RBE = ∞
IE = 100µA, IC = 0
Min Typ Max Unit
– – 1 µA
– – 1 µA
20 – 50
10 – –
– 40 – MHz
– 1.6 – pF
– – 1.0 V
– – 1.5 V
800 – – V
800 – – V
7––V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE2580 | Silicon NPN Transistor High Voltage / High Current Switch | NTE |
| NTE2581 | Silicon NPN Transistor High Speed Switching Regulator | NTE |
| NTE2582 | Silicon NPN Transistor High Speed Switching Regulator | NTE |
| NTE2583 | Silicon NPN Transistor High Speed Switching Regulator | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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