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PDF NTE256 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE256 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Darlington w/Damper Diode | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE256
Silicon NPN Transistor
Darlington w/Damper Diode
Description:
The NTE256 is a silicon epitaxial planer NPN Darlington transistor in a TO218 type package with an
integrated Base–Emitter speed–up diode. This device is particularly suitable for use as an output
stage in high power, fast switching applications.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltagte (IE = 0), VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Collector–Emitter Voltage (IB = 0), VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
Emitter–Base Voltage (IC = 0), VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28A
Peak (tp = 10ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A
Total Power Dissipation (TC ≤ +25°C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to + 175°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
ICEO
ICEV
VCEO = 400V, IB = 0
VCE = 600V, VBE = 1.5V, Note 1
VCE = 600V, VBE = 1.5V, TC = +100°C,
Note 1
Emitter Cutoff Current
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector–Emitter Saturation Voltage
IEBO
VCEO(sus)
VCE(sat)
VEB = 2V, IC = 0, Note 1
IC = 100mA, Note 1
IC = 10A, IB = 0.5A
IC = 18A, IB = 1.8A
IC = 22A, IB = 2.2A
IC = 28A, IB = 5.6A
Note 1. Pulsed: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 1.5%.
Min Typ Max Unit
– – 1 mA
– – 100 µA
– – 2 mA
– – 175 mA
400 – – V
– – 2.0 V
– – 2.5 V
– – 3.0 V
– – 5.0 V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE25 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE250 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE2501 | Silicon Complementary Transistors High Voltage for Video Output | NTE |
| NTE2502 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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