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PDF NTE112 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza NTE112
Descripción Silicon Small Signal Schottky Diode
Fabricantes NTE 
Logotipo NTE Logotipo



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NTE112
Silicon Small Signal Schottky Diode
Description:
The NTE112 is a metal to silicon junction diode in a DO35 type package primarly intended for UHF
mixers and ultrafast switching applications.
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Forward Continuous Current (TA = +25°C, Note 1), IF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
Surge Non–Repetitive Forward Current (tp 1s, Note 1), IFSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), Rth (j–a) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400°C/W
Maximum Lead Temperature (During soldering, 4mm from case, 10s max), TL . . . . . . . . . . +230°C
Note 1. On infinite heatsink with 4mm lead length.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Static Characteristics
Breakdown Voltage
Forward Voltage Drop
Reverse Current
Dynamic Characteristics
V(BR)
VF
IR
IR = 100µA
IF = 10mA, Note 2
VR = 1V, Note 2
Capacitance
Stored Charge
Frequency
C VR = 0V, f = 1MHz
QS IF = 10mA, Note 3
F f = 1GHz, Note 4
Min Typ Max Unit
5––V
– – 0.55 V
– – 0.05 µA
– – 1 pF
– – 3 pC
– 6 7 dB
Note 2. Pulse Test: Pulse Width 300µs, Duty Cycle < 2%.
Note 3. Measured on a B–line Electronics QS–3 stored charge meter.
Note 4. Noise Figure Test: – Diode is inserted in a tuned stripline circuit.
Local oscillator frequency 1GHz
Local oscillator power 1mW
Intermediate frequency amplifier, tuned on 30MHz, has a noise
figure, 1.5dB.

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
NTE11Silicon Complementary Transistors High Current AmplifierNTE
NTE
NTE1100Integrated Circuit TV Sound IF Amp / FM IF AmpNTE
NTE
NTE1101Integrated Circuit General Purpose Amp / Mixer / and OscillatorNTE
NTE
NTE1102Integrated Circuit 3 Stage Audio AmplifierNTE
NTE

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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