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PDF NTE104 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE104 | |
| Descripción | Germanium PNP Transistor Audio Frequency Power Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE104
Germanium PNP Transistor
Audio Frequency Power Amplifier
Description:
The NTE104 is a Germanium PNP Alloy Junction transistor in a TO3 type package designed as an
audio frequency power output amplifier.
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Collector–Emitter Voltage (RBE = 68Ω), VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Emitter Current, IE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A
Power Dissipation (TC ≤ +55°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +100°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +100°C
Note 1. Matched pairs are available upon request (NTE104MP). Matched pairs have their gain
specification (hFE) matched to within 10% of each other.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CER IC(peak) = –0.6A, RBE = 68Ω
Collector Cutoff Current
ICBO VCB = 30V, IE = 0
DC Current Gain
Base–Emitter Input Voltage
hFE VCE = 2V, IC = 20mA
VBE VCE = 2V, IC = 1A
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 4A, IB = 0.4A
Transition Frequency
fT VCB = 2V, IE = 1A
Min Typ Max Unit
35 – – V
– – 1.0 mA
50 90 165
– 0.38 –
V
– 0.29 –
V
– 300 – kHz
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE10 | Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band Amplifier | NTE |
| NTE100 | Germanium Complementary Transistors Oscillator / Mixer for AM Radio / Medium Speed Switch | NTE |
| NTE1002 | Integrated Circuit FM IF TV Amp | NTE |
| NTE1003 | Integrated Circuit FM/AM IF Amplifier | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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