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PDF NTE10 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE10 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE10
Silicon NPN Transistor
UHF Low Noise Wide–Band Amplifier
Features:
D Low Noise Figure: NF = 2.2dB Typ (f = 0.9GHz)
D High Power Gain: MAG = 14dB Typ (f = 0.9GHz)
D High Cutoff Frequency: fT = 5GHz Typ
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Collector–Emitter Voltage, VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70mA
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW
Junction Temperature, Tj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current
ICBO VCB = 12V, IE = 0
– – 1.0 µA
Emitter Cutoff Current
IEBO VEB = 2V, IC = 0
– – 10 µA
DC Current Gain
hFE VCE = 10V, IC = 20mA
40 – 200
Gain–Bandwidth Product
fT VCE = 10V, IC = 20mA
– 5.0 – GHz
Output Capacitance
Cob VCB = 10V, f = 1MHz
– 0.8 1.1 pF
Reverse Transfer Capacitance
Cre VCB = 10V, f = 1MHz
– 0.5 – pF
Forward Transfer Gain
|S21e|2 VCE = 10V, IC = 20mA, f = 0.9GHz 8 10 – dB
Maximum Available Power Gain MAG VCE = 10V, IC = 5mA, f = 0.9GHz – 14 – dB
Noise Figure
NF VCE = 10V, IC = 5mA, f = 0.9GHz – 2.2 4.5 dB
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE10 | Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band Amplifier | NTE |
| NTE100 | Germanium Complementary Transistors Oscillator / Mixer for AM Radio / Medium Speed Switch | NTE |
| NTE1002 | Integrated Circuit FM IF TV Amp | NTE |
| NTE1003 | Integrated Circuit FM/AM IF Amplifier | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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