PDF M368L6423ETN-A2 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	M368L6423ETN-A2
Descripción	DDR SDRAM Unbuffered Module
Fabricantes	Samsung
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No Preview Available ! 256MB, 512MB Unbuffered DIMM DDR SDRAM DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die with 64/72-bit ECC/Non ECC Revision 1.1 August. 2003 Rev. 1.1 August. 2003 1 page 256MB, 512MB Unbuffered DIMM DDR SDRAM 256MB, 32M x 64 Non ECC Module (M368L3223ETN) (Populated as 1 bank of x8 DDR SDRAM Module) Functional Block Diagram CS0 DQS0 DM0 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DM/ I/O 7 I/O 6 I/O 1 I/O 0 I/O 5 I/O 4 I/O 3 I/O 2 CS DQS D0 DQS4 DM4 DQ32 DQ33 DQ34 DQ35 DQ36 DQ37 DQ38 DQ39 DM/ I/O 7 I/O 6 I/O 1 I/O 0 I/O 5 I/O 4 I/O 3 I/O 2 CS DQS D4 SCL WP Serial PD A0 A1 A2 SA0 SA1 SA2 SDA DQS1 DM1 DQS2 DM2 DQS3 DM3 DQ8 DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 DQ16 DQ17 DQ18 DQ19 DQ20 DQ21 DQ22 DQ23 DQ24 DQ25 DQ26 DQ27 DQ28 DQ29 DQ30 DQ31 DM/ I/O 7 I/O 6 I/O 1 I/O 0 I/O 5 I/O 4 I/O 3 I/O 2 CS DQS D1 DM/ I/O 7 I/O 6 I/O 1 I/O 0 I/O 5 I/O 4 I/O 3 I/O 2 CS DQS D2 DM/ I/O 7 I/O 6 I/O 1 I/O 0 I/O 5 I/O 4 I/O 3 I/O 2 CS DQS D3 DQS5 DM5 DQS6 DM6 DQS7 DM7 DQ40 DQ41 DQ42 DQ43 DQ44 DQ45 DQ46 DQ47 DQ48 DQ49 DQ50 DQ51 DQ52 DQ53 DQ54 DQ55 DQ56 DQ57 DQ58 DQ59 DQ60 DQ61 DQ62 DQ63 DM/ I/O 7 I/O 6 I/O 1 I/O 0 I/O 5 I/O 4 I/O 3 I/O 2 CS DQS D5 DM/ I/O 7 I/O 6 I/O 1 I/O 0 I/O 5 I/O 4 I/O 3 I/O 2 CS DQS D6 DM/ I/O 7 I/O 6 I/O 1 I/O 0 I/O 5 I/O 4 I/O 3 I/O 2 CS DQS D7 VDDSPD VDD/VDDQ VREF VSS CK0/1/2 R=120Ω CK0/1/2 Card Edge SPD D0 - D7 D0 - D7 D0 - D7 D0 - D7 D3/D0/D6 Cap/Cap/Cap D4/D1/D7 Cap/Cap/Cap D5/D2/Cap Cap/Cap/Cap BA0 - BA1 A0 - A12 RAS CAS CKE0 WE BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D7 A0-A12 : DDR SDRAMs D0 - D7 RAS : DDR SDRAMs D0 - D7 CAS : DDR SDRAMs D0 - D7 CKE : DDR SDRAMs D0 - D7 WE : DDR SDRAMs D0 - D7 * Clock Wiring Clock Input DDR SDRAMs CK0/CK0 3 DDR SDRAMs CK1/CK1 3 DDR SDRAMs CK2/CK2 2 DDR SDRAMs Clock Net Wiring Notes : 1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended but may be changed. 2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be maintained as shown. 3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%. 4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 5.1 Ohms + 5% Rev. 1.1 August. 2003 5 Page 256MB, 512MB Unbuffered DIMM DDR SDRAM DDR SDRAM IDD spec table M368L6423ETN [ (32M x 8) * 16, 512MB Non ECC Module ] (VDD=2.7V, T = 10°C) Symbol B3(DDR333@CL=2.5) AA(DDR266@CL=2) A2(DDR266@CL=2) B0(DDR266@CL=2.5) Unit Notes IDD0 1,160 1,160 1,000 1,000 mA IDD1 1,360 1,360 1,200 1,200 mA IDD2P 48 48 48 48 mA IDD2F 400 320 320 320 mA IDD2Q 320 290 290 290 mA IDD3P 560 480 480 480 mA IDD3N 880 720 720 720 mA IDD4R 1,720 1,480 1,480 1,480 mA IDD4W 1,720 1,440 1,440 1,440 mA IDD5 1,800 1,640 1,640 1,640 mA IDD6 Normal 48 48 48 48 mA Low power 24 24 24 24 mA Optional IDD7A 2,680 2,680 2,360 2,360 mA * Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap. M381L6423ETM [ (32M x 8) * 18, 512MB ECC Module ] (VDD=2.7V, T = 10°C) Symbol B3(DDR333@CL=2.5) AA(DDR266@CL=2) A2 (DDR266@CL=2) B0(DDR266@CL=2.5) Unit Notes IDD0 1,310 1,310 1,130 1,130 mA IDD1 1,530 1,530 1,350 1,350 mA IDD2P 54 54 54 54 mA IDD2F 450 360 360 360 mA IDD2Q 360 330 330 330 mA IDD3P 630 540 540 540 mA IDD3N 990 810 810 810 mA IDD4R 1,940 1,670 1,670 1,670 mA IDD4W 1,940 1,620 1,620 1,620 mA IDD5 2,030 1,850 1,850 1,850 mA IDD6 Normal 54 54 54 54 mA Low power 27 27 27 27 mA Optional IDD7A 3,020 3,020 2,660 2,660 mA * Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap. Rev. 1.1 August. 2003 11 Page

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M368L6423ETN-A2	DDR SDRAM Unbuffered Module	Samsung
M368L6423ETN-AA	DDR SDRAM Unbuffered Module	Samsung

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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