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PDF M312L2828ET0 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | M312L2828ET0 | |
| Descripción | DDR SDRAM Registered Module | |
| Fabricantes | Samsung | |
| Logotipo |  |
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256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM
DDR SDRAM
DDR SDRAM Registered Module
184pin Registered Module based on 256Mb E-die (x4, x8)
with 1,700 / 1,200mil Height & 72-bit ECC
Revision 1.4
January, 2004
Revision 1.4 February, 2004
1 page  
256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM
DDR SDRAM
256MB, 32M x 72 ECC Module (M383(12)L3223ETS) (Populated as 1 bank of x8 DDR SDRAM Module)
Functional Block Diagram
RCS0
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DM/
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
CS DQS
D0
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DM/
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
CS DQS
D4
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM/
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
CS DQS
D1
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DM/
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
CS DQS
D5
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DM/
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
CS DQS
D2
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DM/
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
CS DQS
D6
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM/
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
CS DQS
D3
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM/
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
CS DQS
D7
SCL
WP
Serial PD
A0 A1 A2
SA0 SA1 SA2
SDA
DQS8
DM8
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
DM/
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
CS DQS
D8
VDDSPD
VDD/VDDQ
VREF
VSS
SPD
D0 - D8
D0 - D8
D0 - D8
D0 - D8
CS0
BA0-BA1
A0-A12
RAS
CAS
CKE0
WE
R RCS0
E RBA0 - RBA1
G
I
S
RA0 - RA12
RRAS
T RCAS
E RCKE0
R RWE
PCK
PCK
RESET
CK0,CK0
PLL*
* Wire per Clock Loading table/wiring Diagrams
BA0 -BA1 : SDRAMs DQ0 - D8
A0 -A12 : SDRAMs D0 - D8
RAS : SDRAMs D0 - D8
CAS : SDRAMs D0 - D8
CKE : SDRAMs D0 - D8
WE: SDRAMs D0 - D8
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recom-
mended but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships
must be maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms.
Revision 1.4 February, 2004
5 Page 
256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM
DDR SDRAM
DDR SDRAM IDD spec table
M383(12)L6420ETS [ (64M x 4) * 18 , 512MB Module ]
Symbol
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6 Normal
Low power
IDD7A
AA
(DDR266@CL=2)
2,370
2,730
380
990
650
870
1,440
2,790
3,060
3,510
379
352
5,430
A2
(DDR266@CL=2)
2,070
2,430
380
990
650
870
1,440
2,790
3,060
3,510
379
352
4,950
B0
(DDR266@CL=2.5)
2,070
2,430
380
990
650
870
1,440
2,790
3,060
3,510
379
352
4,950
(VDD=2.7V, T = 10°C)
A0
(DDR200@CL=2)
Unit
Notes
1,850
mA
2,120
mA
360 mA
830 mA
590 mA
750 mA
1,220
mA
2,300
mA
2,480
mA
3,110
mA
360 mA
330 mA Optional
4,280
mA
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
M383(12)L2828ET1(0) [ (st.128M x 4) * 18 , 1GB Module ]
Symbol
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6 Normal
Low power
IDD7A
AA
(DDR266@CL=2)
3,490
3,850
558
1,470
1,100
1,530
2,370
3,720
3,990
4,440
558
504
6,550
A2
(DDR266@CL=2)
3,000
3,360
558
1,470
1,100
1,530
2,370
3,720
3,990
4,440
558
504
5,880
B0
(DDR266@CL=2.5)
3,000
3,360
558
1,470
1,100
1,530
2,370
3,720
3,990
4,440
558
504
5,880
(VDD=2.7V, T = 10°C)
A0
(DDR200@CL=2)
Unit
Notes
2,700
mA
2,970
mA
540 mA
1,280
mA
1,010
mA
1,330
mA
2,070
mA
3,150
mA
3,330
mA
3,960
mA
540 mA
480 mA Optional
5,130
mA
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Revision 1.4 February, 2004
11 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| M312L2828ET0 | DDR SDRAM Registered Module | Samsung |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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