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PDF M68757L Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | M68757L | |
| Descripción | SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER / 806-870MHz / 3W / FM PORTABLE RADIO | |
| Fabricantes | Mitsubishi | |
| Logotipo |  |
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MITSUBISHI RF POWER MODULE
M68757L
SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER, 806-870MHz, 3W, FM PORTABLE RADIO
OUTLINE DRAWING
30±0.2
26.6±0.2
21.2±0.2
12
0.45
6±1
13.7±1
18.8±1
23.9±1
3
5
4
Dimensions in mm
BLOCK DIAGRAM
2-R1.5±0.1
23
14
5
PIN:
1 Pin : RF INPUT
2 VGG : GATE BIAS SUPPLY
3 VDD : DRAIN BIAS SUPPLY
4 PO : RF OUTPUT
5 GND: FIN
H46
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
VDD Supply voltage
VGG Gate bias voltage
Pin Input power
PO Output power
TC (OP) Operation case temperature
Tstg Storage temperature
Note. Above parameters are guaranteed independently.
Conditions
VGG≤3.5V, ZG=ZL=50Ω
f=806-870MHz, ZG=ZL=50Ω
f=806-870MHz, ZG=ZL=50Ω
f=806-870MHz, ZG=ZL=50Ω
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25°C, ZG=ZL=50Ω unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Test conditions
f Frequency range
PO Output power
ηT Total efficiency
2fO 2nd. harmonic
ρin Input VSWR
VDD=7.2V, VGG=3.5V, Pin=50mW
Stability
ZG=ZL=50Ω, VDD=5-9.2V,
Load VSWR <4:1
Load VSWR tolerance
VDD=9V, Pin=50mW,
PO=3W (VGG Adjust), ZL=20:1
Note. Above parameters, ratings, limits and test conditions are subject to change.
Ratings
9.2
4
70
5
-30 to +100
-40 to +100
Unit
V
V
mW
W
°C
°C
Limits
Min Max
806 870
3
30
-28
4
No parasitic oscillation
No degradation or
destroy
Unit
MHz
W
%
dBc
Nov. ´97
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| M68757H | SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER / 896-941MHz / 3W FM PORTABLE RADIO | Mitsubishi |
| M68757L | SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER / 806-870MHz / 3W / FM PORTABLE RADIO | Mitsubishi |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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