(PDF) RB521S-30 Datasheet - Schottky barrier diode

Número de pieza	RB521S-30
Descripción	Schottky barrier diode
Fabricantes	ROHM Semiconductor
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No Preview Available ! Diodes Schottky barrier diode RB521S-30 RB521S-30 zApplications Low current rectification and high speed switching zFeatures 1) Extremely small surface mounting type. (EMD2) 2) IO=200mA guaranteed despite the size. 3) Low VF.( VF=0.40V Typ. At 200mA ) zConstruction Silicon epitaxial planar zExternal dimensions (Units : mm) CATHODE MARK C 0.3±0.05 0.12±0.05 0.8±0.05 ROHM : EMD2 EIAJ : SC-79 JEDEC : SOD-523 0.6±0.1 zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Symbol Limits DC reverse voltage VR 30 Mean rectifying current IO Peak forward surge current∗ IFSM 200 1 Junction temperature Tj 125 Storage temperature Tstg −40~+125 ∗ 60Hz for 1 Unit V mA A °C °C zElectrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Symbol Forward voltage VF Reverse current IR Note) sensitive product handling required. Min. − − Typ. − − Max. 0.50 30 Unit Conditions V IF = 200mA µA VR = 10V 1 page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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