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PDF TG2006F Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | TG2006F | |
| Descripción | 1.9 GHz Band Power Amplifier | |
| Fabricantes | Toshiba Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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TOSHIBA GaAs Linear Integrated Circuit GaAs Monolithic
TG2006F
1.9 GHz Band Power Amplifier
PHS, Digital Cordless Telecommunication
Features
l Positive voltage operation: Vd = 3 V, Vg = 0 or 1 V
l Low current consumption: It = 130 mA (typ.)
l Small package: SM8 package (2.9 × 2.8 × 1.1mm)
l Low cost: Can be achieved minimum function.
Pin Assignment (top view) Marking
TG2006F
Weight: 0.02 g (typ.)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Supply voltage
VDD1
VDD2
5
5
Gate voltage
VGG
1
Input power
Pi 10
Power dissipation
Pd (Note1)
250
Operating temperature range
Topr −40~85
Storage temperature range
Tstg −55~150
Note 1: When mounted on 2.5 cm2 × 1.6 t glass epoxy board.
Unit
V
V
V
mW
mW
°C
°C
1 2002-07-31
1 page  
TG2006F
5 2002-07-31
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| TG2006F | 1.9 GHz Band Power Amplifier | Toshiba Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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