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PDF IRFE130 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza IRFE130
Descripción N-CHANNEL POWER MOSFET
Fabricantes Seme LAB 
Logotipo Seme LAB Logotipo



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IRFE130
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
N–CHANNEL
POWER MOSFET
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
11
10
9
8
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
12 13 14 15 16
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
17
18
1
2
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
76543
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33
0.08
(0.013)
(0.003)
Rad.
0.43 (0.017)
0.18 (0.007 Rad.
2.16 (0.085)
MOSFET
GATE
DRAIN
SOURCE
LCC4
TRANSISTOR
BASE
COLLECTOR
EMITTER
PINS
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
VDSS
ID(cont)
RDS(on)
100V
7.44A
0.207
FEATURES
• SURFACE MOUNT
• SMALL FOORPRINT
• HERMETICALLY SEALED
• DYNAMIC dv/dt RATING
• AVALANCHE ENERGY RATING
• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
• LIGHTWEIGHT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C unless otherwise stated)
VGS Gate – Source Voltage
±20V
ID
Continuous Drain Current
(VGS = 10V , Tcase = 25°C)
7.4A
ID
Continuous Drain Current
(VGS = 10V , Tcase = 100°C)
4.7A
IDM Pulsed Drain Current 1
30A
PD Power Dissipation @ Tcase = 25°C
22W
Linear Derating Factor
0.17W/°C
EAS
dv/dt
Single Pulse Avalanche Energy 2
Peak Diode Recovery 3
75mJ
5.5V/ns
TJ , Tstg
Operating and Storage Temperature Range
Surface Temperature ( for 5 sec).
-55 to +150°C
300°C
Notes
1) Pulse Test: Pulse Width 300µs, δ ≤ 2%
2) @ VDD = 50V , L 570µH , RG = 25, Peak IL = 14A , Starting TJ = 25°C
3) @ ISD 14A , di/dt 140A/µs , VDD BVDSS , TJ 150°C , Suggested RG = 7.5
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail [email protected]
Website http://www.semelab.co.uk
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
IRFE130N-CHANNEL POWER MOSFETSeme LAB
Seme LAB

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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