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PDF F0118J Datasheet ( Hoja de datos )

Número de pieza F0118J
Descripción GaAs Infrared Emitting Diode
Fabricantes OSRAM 
Logotipo OSRAM Logotipo

Total 7 Páginas
		
F0118J Hoja de datos, Descripción, Manual
GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge)
GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil)
F 0118J
Vorläufige Daten / Preliminary data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im
Topled® Gehäuse.
Chipgröße 300 x 300 µm2
GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Impulsbelastbarkeit
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
Vorderseitenmetallisierung: Aluminium
Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung
Anwendungen
IIR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Lichtschranken bis 500 kHz
Sensorik
Features
Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in
Topled® package.
Chip size 300 x 300 µm2
Very highly efficient GaAlAs LED
High reliability
High pulse handling capability
Good spectral match to silicon
photodetectors
Frontside metallization: aluminum
Backside metallization: gold alloy
Applications
IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
Remote control for steady and varying
intensity
Light-reflection switches (max. 500 kHz)
Sensor technology
Typ
Type
F 0118J
Bestellnummer
Ordering Code
Q67220-C1350
Beschreibung
Description
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluss
Rückseite AuGe Eutektikum
Infrared emitting die, top side anode connection
Backside AuGe eutectic alloy
2002-02-21
1

1 page

F0118J pdf
Relative Spectral Emission2) Ιrel = f (λ)
TA = 25 °C
100
OHRD1938
%
Ι rel
80
60
40
F 0118J
Radiant
Intensity2)
Ιe
Ιe
100
mA
=
f
(IF)
Single pulse, TA = 25 °C,tp = 20 µs
10 2
A
Ιe
Ι e 100 mA
10 1
OHR01551
10 0
20 10 -1
0
880 920 960 1000 nm 1060
λ
Permissible Pulse Handling
Capability2) IF = (τ), TA = 25 °C
duty cycle D = parameter
10 4
Ι F mA
5
D
=
tp
T
D = 0.005
tp
T
0.01
0.02
10 3 0.1
0.05
0.2
5
OHR00860
ΙF
0.5
10 2 DC
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2
10 -1 10 0
10 1 s 10 2
tp
2002-02-21
10 -2
10 -3 10 -2 10 -1
Forward Current2) , IF = f (VF)
Single pulse, tp = 20 µs,TA = 25 °C
10 0 A
ΙF
10 1
10 1
ΙF A
OHR01554
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
0 12 3 4 5 6V 8
VF
5

5 Page



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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
F0118GGaAs Infrared Emitting DiodeOSRAM
OSRAM
F0118JGaAs Infrared Emitting DiodeOSRAM
OSRAM

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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