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PDF KSA1201 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza KSA1201
Descripción Power Amplifier
Fabricantes Fairchild Semiconductor　
Logotipo Fairchild Semiconductor Logotipo



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KSA1201
Power Amplifier
• Collector-Emitter Voltage: VCEO= -120V
• fT=120MHz
• Collector Power Dissipation PC=1~2W : Mounted on Ceramic Board
• Complement to KSC2881
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VCBO
Collector Base Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current
IB Base Current
PC Collector Power Dissipation
PC*
TJ Junction Temperature
TSTG
Storage Temperature
* Mounted on Ceramic Board (250mm2 x 0.8mm)
1 SOT-89
1. Base 2. Collector 3. Emitter
Ratings
-120
-120
-5
-800
-160
500
1,000
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
°C
Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
Min. Typ. Max. Units
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -10mA, IB=0
-120
V
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= -1mA, IC=0
-5
V
ICBO
Collector Cut-off Current
VCB= -120V, IE=0
-100
nA
IEBO
Emitter Cut-off Current
VBE= -5V, IC=0
-100
nA
hFE DC Current Gain
VCE= -5V, IC= -100mA
80
240
VCE (sat) Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= -500mA, IB=-50mA
-1.0 V
VBE (on) Base-Emitter On Voltage
VCE= -5V, IC= -500mA
-1.0 V
fT
Current Gain Bandwidth Product
VCE= -5V, IC= -100mA
120 MHz
Cob Output Capacitance
VCB= -10V, IE=0, f=1MHz
30 pF
hFE Classification
Classification
hFE
O
80 ~ 160
Marking
Y
120 ~ 240
SDX
hFE grade
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
KSA1201Power AmplifierFairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KSA1203PNP Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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