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PDF 4AK19 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 4AK19 | |
| Descripción | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
| Fabricantes | Hitachi Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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4AK19
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
N Channel: RDS(on) ≤ 0.5 Ω, VGS = 10 V, ID = 2.5 A
RDS(on) ≤ 0.6 Ω, VGS = 4 V, ID = 2.5 A
• 4 V gate drive devices.
• High density mounting
Outline
SP-10
ADE-208-727 (Z)
1st. Edition
February 1999
3
D
4
5
D
6
7
D
8
9
D
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2G G G G
1, 10. Source
1S
S 10
2, 4, 6, 8. Gate
3, 5, 7, 9. Drain
1 page  
4AK19
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
5
Tc = –25 °C
2
75 °C
1
25 °C
0.5
0.2
0.1
0.1
V DS = 10 V
Pulse Test
0.2 0.5 1 2
5
Drain Current I D (A)
10
5000
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
2000
1000
500
200
100 di/dt = 50 A/µs
50 VGS = 0, Ta = 25°C
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10
Reverse Drain Current I DR (A)
1000
300
100
30
10
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Coss
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
3
1
Crss
0.3
0.1
0
10 20 30 40
50
Drain to Source Voltage V DS (V)
Dynamic Input Characteristics
100 20
80
VDS
60
40
VGS
16
V DD = 25 V
50 V
12
80 V
8
20 V DD = 25 V I D = 5 A 4
50 V
80 V
0
0 4 8 12 16 20
Gate Charge Qg (nc)
5
5 Page | ||
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| PDF Descargar | [ Datasheet 4AK19.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 4AK15 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array | Hitachi Semiconductor |
| 4AK16 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array | Hitachi Semiconductor |
| 4AK17 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array | Hitachi Semiconductor |
| 4AK18 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array | Hitachi Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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