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PDF BAV170 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BAV170 | |
| Descripción | Silicon Low Leakage Diode Array (Low leakage applications Medium speed switching times Common cathode) | |
| Fabricantes | Siemens Semiconductor Group | |
| Logotipo |  |
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Silicon Low Leakage Diode Array
q Low leakage applications
q Medium speed switching times
q Common cathode
BAV 170
Type
BAV 170
Marking
JXs
Ordering Code
(tape and reel)
Q62702-A920
Pin Configuration
Package1)
SOT-23
Maximum Ratings
Parameter
Reverse voltage
Peak reverse voltage
Forward current
Surge forward current, t = 1 µs
Total power dissipation, TS = 35 ˚C
Junction temperature
Storage temperature range
Thermal Resistance
Junction - ambient2)
Junction - soldering point
Symbol
VR
VRM
IF
IFS
Ptot
Tj
Tstg
Values
Unit
70 V
70
200 mA
4.5 A
250 mW
150 ˚C
– 65 … + 150
Rth JA
Rth JS
≤ 600
≤ 460
K/W
1) For detailed information see chapter Package Outlines.
2) Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.
Semiconductor Group
1
5.91
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BAV17 | Silicon Epitaxial Planar Diodes |  Vishay Telefunken |
| BAV17 | General Purpose Diodes |  Fairchild Semiconductor |
| BAV17 | (BAVxx) SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE |  Galaxy Semi-Conductor |
| BAV170 | Low-leakage double diode |  NXP Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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