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Número de pieza | BAS321 | |
Descripción | General purpose diode | |
Fabricantes | NXP Semiconductors | |
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DATA SHEET
book, halfpage
M3D049
BAS321
General purpose diode
Product specification
1999 Feb 09
1 page Philips Semiconductors
General purpose diode
Product specification
BAS321
handbook1, 0ha2lfpage
IR
(µA)
10
(1)
1
(2)
MBG381
10 1
10 2
0
100 Tj (oC) 200
(1) VR = VRmax; maximum values.
(2) VR = VRmax; typical values.
Fig.5 Reverse current as a function of
junction temperature.
1.0
handbook, halfpage
Cd
(pF)
0.8
0.6
MBG447
0.4
0.2
0 2 4 6 VR (V) 8
f = 1 MHz; Tj = 25 °C.
Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
300
handbook, halfpage
VR
(V)
200
MBK926
100
0
0 50 100 150 200
Tamb (°C)
Fig.7 Maximum permissible continuous
reverse voltage as a function of the
ambient temperature.
1999 Feb 09
5
5 Page Philips Semiconductors
General purpose diode
NOTES
Product specification
BAS321
1999 Feb 09
11
11 Page |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
BAS321 | General purpose diode | NXP Semiconductors |
BAS32L | High-speed diode | NXP Semiconductors |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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